切换城市: 广东 其它

已解决问题

2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲非平衡载流子

2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 《半导体物理》考试大纲非平衡载流子
技校网 更新时间:2021-06-12 12:34:00 解决时间:2019-07-18 15:07

满意答案

(五)非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式

答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 《半导体物理》考试大纲

  技校网数据中心 2019-07-18 15:07

类似问题答案

2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲非平衡载流子
(五)非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲主要参考书目
三、主要参考书目刘恩科,朱秉升,罗晋生.《半导体物理学》,电子工业出版社,2008。编制单位:中国科学院大学编制日期:2019年6月27日答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲半导体表面与MIS结构
(八)半导体表面与MIS结构表面态,表面电场效应,MIS结构的电容-电压特性,硅─二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对p-n结特性的影响答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲半导体中杂质和缺陷能级
(二)半导体中杂质和缺陷能级:硅、锗晶体中的杂质能级,III-V族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲异质结
(九)异质结异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲半导体的导电性
(四)半导体的导电性载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲金属和半导体的接触
(七)金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接触答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)
2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试 半导体物理考试大纲半导体的电子状态
(一)半导体的电子状态:半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,III-V族化合物半导体的能带结构,II-VI族化合物半导体的能带结构答案来源于:2020年中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(阅读详细内容)

相关阅读

最新文章
相关学校
招生信息与资讯
技校专业