1）加工环境与衬底制备
a:微电子器件的加工环境b:IC发展与硅材料的关系
c:衬底制备
2）外延
a:外延工艺 b:外延层质量的控制3）氧化技术
a:二氧化硅在微电子器件制造中的用途
b:二氧化硅的特性c:二氧化硅的制备方法
3)扩散技术
a: 掺杂在微电子器件中的应用
b:掺杂方式、掺杂原理、液态源扩散、固态源扩散和扩散层质量分析与检验
c:离子注入
4）光刻技术
a:光刻胶的特性和配制b:光刻工艺
c:光刻质量分析
5)制版技术
a:掩模版图形的形成b:电子束制版
6)表面图形的形成
a:湿法腐蚀、干法腐蚀、砷化镓腐蚀、
7)表面钝化
a: 钝化方法
8)隔离技术
a:PN结隔离技术 b:二氧化硅介质隔离
9)电极制备及封装
a: 欧姆接触b:蒸发与溅射c:平坦化技术
10)CMOS集成电路工艺设计
a:CMOS工艺设计b:多晶硅栅制造工艺c:CMOS工艺设计规则
d:n阱CMOS反相器的电路与管芯制造工艺过程
11)超纯水的制备
a:超纯水的制备方法b:微电子器件使用的制水系统