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2019年辽宁大学物理学院硕士研究生招生考试微电子学基础科目考试大纲半导体集成电路考试内容

2019年辽宁大学物理学院硕士研究生招生考试微电子学基础科目考试大纲半导体集成电路考试内容
技校网 更新时间:2021-06-17 12:42:00 解决时间:2019-02-11 16:16

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(二)半导体集成电路考试内容

1、常见MOS反相器(电阻、E/E饱和型、E/E非饱和型和E/DMOS)基本工作原理及其瞬态特性

1)常见MOS反相器的静态特性。

2)常见MOS反相器的传输特性。

3)常见MOS反相器的噪声特性.

4)常见MOS反相器的瞬态特性。

5)常见MOS反相器的速度功耗乘积。

2、CMOS反相器基本工作原理及其瞬态特性

1)CMOS反相器的静态特性。

2)CMOS反相器的传输特性。

3)CMOS反相器的噪声特性。

4)CMOS反相器阈值电平。

3、MOS传输门的基本工作原理

1)NMOS传输门传输过程

2)PMOS传输门传输过程

3)CMOS传输门传输过程

4、MOS门电路的设计

1)NMOS传输门门电路设计(与、或、与非、或非、与或非、异或、同或)

2)CMOS传输门门电路设计(与、或、与非、或非、与或非、异或、同或)

5、集成电路工艺流程

1)BipolarIC工艺流程

2)CMOSIC工艺流程

6、模拟基本放大电路的工作原理

1)共射、共基、共集电放大电路的静态工作点设置

2)共射、共基、共集电放大电路的交流小信号等效电路

3)共射、共基、共集电放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的求解

4)基本放大电路饱和失真和截止失真产生的原因,如何消除基本放大电路所处失真状态

  技校网数据中心 2019-02-11 16:16
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