8半导体表面和MIS结构表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结特性的影响。表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结特性的影响。表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生入学考试大纲-半导体物理考试形式与试卷结构

四、考试形式与试卷结构1答卷方式：闭卷，笔试。2答题时间：150分钟。3总分：满分150分4题型比例名词解释20、填空题20、证明题20、作图及说明题50、简答题10、计算题10、论述题201答卷方式：闭卷，笔试。2答题时间：150分钟。3总分：满分150分4题型比例名词解释20、填空题20、证明题20、作图及说明题50、简答题10、计算题10、论述题20(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生考试考试大纲半导体物理半导体的光学性质和光电与发光现象

10半导体的光学性质和光电与发光现象半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生考试考试大纲半导体物理第二部分考查要点

第二部分考查要点1半导体中的电子状态半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生入学考试大纲-半导体物理金属和半导体接触

7金属和半导体接触金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生入学考试大纲-半导体物理非平衡载流子

5非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子寿命与扩散长度。非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子寿命与扩散长度(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生考试考试大纲半导体物理半导体中杂质和缺陷能级

2半导体中杂质和缺陷能级硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。(阅读详细内容)

2019年华中科技大学硕士研究生考试考试大纲半导体物理半导体中的电子状态

1半导体中的电子状态半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半(阅读详细内容)

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2019年华中科技大学硕士研究生考试考试大纲半导体物理半导体表面和MIS结构

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