1 答卷方式：闭卷，笔试。
2答题时间：180分钟。
3各部分内容的考查比例：
满分100分
结构与缺陷 约15%；
电导性质 约25%；
介电性质 约20%；
磁学性质 约20%；
光学性质 约10%；
相图与相变 约10%。
4题型比例
概念题 约20%；
简答题 约25%；
论述题 约 30%；
计算题 约 25%。
2答题时间：180分钟。
3各部分内容的考查比例：
满分100分
结构与缺陷 约15%；
电导性质 约25%；
介电性质 约20%；
磁学性质 约20%；
光学性质 约10%；
相图与相变 约10%。
4题型比例
概念题 约20%；
简答题 约25%；
论述题 约 30%；
计算题 约 25%。
第二部分 考查要点
1 无机材料的晶体结构与缺陷扩散；
无机晶体结构及其表征、鲍林规则、缺陷种类、缺陷扩散机制、扩散方程、固相烧结、液相烧结
无机晶体结构及其表征、鲍林规则、缺陷种类、缺陷扩散机制、扩散方程、固相烧结、液相烧结
2 材料的电导性质；
电子电导，离子电导，缺陷与电导的关系、晶界电导与p-n结电导
电子电导，离子电导，缺陷与电导的关系、晶界电导与p-n结电导
3 材料的介电性质；
材料的极化类型，克劳修斯-莫索缔方程，德拜方程，压电性，铁电性
材料的极化类型，克劳修斯-莫索缔方程，德拜方程，压电性，铁电性
4 材料的磁学性质；
磁性的起源，原子、离子磁矩，物质的磁性，朗之万理论，磁畴，磁滞回线，硬磁材料，软磁材料。
磁性的起源，原子、离子磁矩，物质的磁性，朗之万理论，磁畴，磁滞回线，硬磁材料，软磁材料。
5 材料的光学性质；
半导体材料的光吸收与光电导，光生伏特效应，半导体的电致发光，半导体激光基础。
半导体材料的光吸收与光电导，光生伏特效应，半导体的电致发光，半导体激光基础。
6 相图及相变
相律，二元系相图，一级相变，二级相变，典型的铁电相变，金属-绝缘体相变。
相律，二元系相图，一级相变，二级相变，典型的铁电相变，金属-绝缘体相变。
第三部分考试样题（略）