1答卷方式:闭卷,笔试。
2答题时间:180分钟。
3各部分内容的考查比例:满分100分
半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级 约20%;
半导体中载流子的统计分布、导电性 约30%;
非平衡载流子、p- 结、金属-半导体接触 约30%;
半导体表面与MIS结构、异质结 约10%;
半导体光、电、热特性 约10%。
4题型比例:
简答题(包括概念、判断题、填空)45%;证明题10%、作图及说明题15%、计算题10%、论述题20%。
1答卷方式:闭卷,笔试。
2答题时间:180分钟。
3各部分内容的考查比例:满分100分
半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级 约20%;
半导体中载流子的统计分布、导电性 约30%;
非平衡载流子、p- 结、金属-半导体接触 约30%;
半导体表面与MIS结构、异质结 约10%;
半导体光、电、热特性 约10%。
4题型比例:
简答题(包括概念、判断题、填空)45%;证明题10%、作图及说明题15%、计算题10%、论述题20%。
2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲pn结类似问题答案