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2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体中杂质和缺陷能级

2019年华中科技大学博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲半导体中杂质和缺陷能级

技校网更新时间：2021-06-26 16:22:00 解决时间：2019-01-06 12:06

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2 半导体中杂质和缺陷能级

硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。

硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。

硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。

技校网数据中心 2019-01-06 12:06

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