2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体中的电子状态

半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。

半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。

半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。