1半导体中的电子状态半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体的光学性质和光电与发光现象

10半导体的光学性质和光电与发光现象半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体中载流子的统计分布

3半导体中载流子的统计分布状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的概率。状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的概率。状态密度；费米能级和载流子的统计分(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲考试形式与试卷结构

四、考试形式与试卷结构1答卷方式：闭卷，笔试。2答题时间：180分钟。3各部分内容的考查比例：满分100分半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级约20%；半导体中载流子的统计分布、导电性约30%；非平衡载流子、p－结、金属－半导体接触约30%；半导体表面与MIS结构、异质结约10%；半导体光、电、热特性约10%。4题型比例：简答题（包括概念、判断题、填空）45%(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体表面和MIS结构

8半导体表面和MIS结构表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对结特性的影响。表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对结特性的影响。表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对结特性的影响。(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲半导体的热电性质

11半导体的热电性质热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊效应；半导体的热导率；半(阅读详细内容)

2019年华中科技大学博士研究生入学考试半导体物理考试大纲第二部分考查要点

第二部分考查要点1半导体中的电子状态半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、(阅读详细内容)

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