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2018年华中科技大学博士研究生入学考试先进电子封装技术及理论考试大纲第二部分考查要点

2018年华中科技大学博士研究生入学考试《先进电子封装技术及理论》考试大纲第二部分考查要点
技校网 更新时间:2021-07-21 19:10:00 解决时间:2018-11-11 10:50

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第二部分 考查要点

1. 微连接原理

① 锡及锡基合金与金、银、铜、镍等金属的反应及所形成的主要金属间化合物;

② 微焊点的形成过程;

③ 微焊点在时效过程中的演变(锡须、热迁移、电迁移、柯肯达尔孔洞等)。

2. 倒装芯片封装

① 凸点下金属化层(UBM);

② 凸点制造工艺(Bumping);

③ 底部填充技术(Underfill)。

3. 其他先进电子封装

① 多芯片封装(MCM);

② 三维封装;

③ 硅通孔技术(TSV);

④ MEMS封装;

⑤ 晶圆级封装;

⑥ 气密封装。

  技校网数据中心 2018-11-11 10:50

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