2019年沈阳工业大学硕士研究生入学考试《微电子器件工艺》科目考试大纲-加试

硕士研究生入学考试大纲

加试科目名称：微电子器件工艺

一、参考书目

《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社2003.1 Stephen A. Campbell

二、考试要求：

系统地掌握外延、扩散、离子注入、氧化、光刻、制版等微电子工艺原理，并能完成工艺设计。

三、考试内容：

1）加工环境与衬底制备

a: 微电子器件的加工环境 b: IC发展与硅材料的关系

c: 衬底制备

2）外延

a: 外延工艺  b: 外延层质量的控制 3）氧化技术

a: 二氧化硅在微电子器件制造中的用途

b: 二氧化硅的特性 c: 二氧化硅的制备方法

3) 扩散技术

a: 掺杂在微电子器件中的应用

b: 掺杂方式、掺杂原理、液态源扩散、固态源扩散和扩散层质量分析与检验

c: 离子注入

4）光刻技术

a: 光刻胶的特性和配制 b: 光刻工艺

c: 光刻质量分析

5) 制版技术

a: 掩模版图形的形成 b: 电子束制版

6) 表面图形的形成

a: 湿法腐蚀、干法腐蚀、砷化镓腐蚀、

7) 表面钝化

a: 钝化方法

8) 隔离技术

a: PN结隔离技术  b: 二氧化硅介质隔离

9) 电极制备及封装

a: 欧姆接触b: 蒸发与溅射 c:平坦化技术

10) CMOS集成电路工艺设计

a:CMOS工艺设计 b:多晶硅栅制造工艺 c:CMOS工艺设计规则

d: n阱CMOS反相器的电路与管芯制造工艺过程

11) 超纯水的制备

a:超纯水的制备方法 b:微电子器件使用的制水系统